选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-220F |
5000 |
2024+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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SHINDENGEN/新电元NA/ |
94 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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SHINDENGEN/新电元TO-220F-3 |
4250 |
23+ |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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SHINDENGEN/新电元TO-220F |
50000 |
22+ |
只做正品原装,假一罚十,欢迎咨询 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SHINDENGENTO-220F |
10000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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SANYO |
60000 |
08PB |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SHINDENGEN/新电元TO-220F |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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ITO-220 |
10000 |
全新 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-220F |
608900 |
SHINDENGEN |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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SHINDENGEN/新电元TO-220F |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
90050 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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SHITO-220F |
11560 |
15+ |
全新原装,现货库存,长期供应 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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SHINDENGEN/新电元TO-220F-3 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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SHINDENGEN/新电元TO-220F |
10000 |
22+ |
只做原装,支持实单 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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ISCNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市维基鸿电子有限公司13年
留言
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SHINDENGEN/新电元TO-220F |
10000 |
23+ |
全新原装现货库存 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-220F |
14000 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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SHINDENGEN/新电元TO-220F |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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SHITO-220F |
3000 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
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SHINDENGEN/新电元TO-220F |
10000 |
22+ |
原装现货,假一赔十 |
2SA1679采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
2SA1679图片
2SA1679IC中文资料Alldatasheet PDF
更多2SA1679-7000功能描述:两极晶体管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1679-7012功能描述:两极晶体管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1679-7100功能描述:两极晶体管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1679-7112功能描述:两极晶体管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
开关管 (S)_功率放大 (L)_LO_SAT
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
60V
- 最大电流允许值:
5A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
2SA1307,2SA1469,2SA1741,
- 最大耗散功率:
10W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-5
- vtest:
60
- htest:
999900
- atest:
5
- wtest:
10