| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-3 |
34000 |
2024+ |
国产品牌isc,质量等同原装 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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ST/意法TO3 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ST原厂原装正品 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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LY |
12940 |
15+ |
TO-3 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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LYNA |
12940 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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LYTO-3 |
12940 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳权泰科技有限公司2年
留言
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8080 |
21+ |
原装现货实单必成 只做原装！ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美NA |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO |
351 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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TTELECTRONICCAN-2 |
349 |
20+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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SPS(美国源芯)TO-3 |
118 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市华芯购电子有限公司3年
留言
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ONTO-3P |
5000 |
21+ |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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STTO-3 |
25000 |
2012+ |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-3 |
5000 |
2024+ |
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国产品牌isc,替代进口原装,质量等同原装 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Microchip TechnologyTO-204AA,TO-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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LYTO-3 |
12940 |
15+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST/意法NA/ |
208 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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STTO-3 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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2N3055AG价格
2N3055AG价格：￥19.2100品牌：ON
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2N30556功能描述:TO-3 Power Package Transistors(NPN)
2N3055A功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 60V 115W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N3055A/D功能描述:Complementary Silicon High-Power Transistor
2N3055A_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon High-Power Transistors
2N3055AG功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 60V 115W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N3055C制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:N-P-N SILICON POWER TRANSISTOR
2N3055E制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:NPN power transistor,15A 2N3055E
2N3055ESMD制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed
2N3055G功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 15A 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
2N3055
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 3.3A，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-3
- 描述：
TRANS NPN 60V 15A TO3
