选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
|
DIODES/美台SOT89 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
Diodes IncorporatedTO-243AA |
30000 |
23+ |
|
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
||
|
深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
|
DIODES/美台SOT89 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
DIODESSOT89 |
1793 |
12+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
DIODESSOT-89 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
|||
|
深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
|
DIODES/美台SOT89 |
19800 |
21+ |
一站式BOM配单 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
DIODES/美台NA/ |
12500 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
|
DIODES/美台SOT89 |
6000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
|||
|
深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
|
DIODESSOT89-3 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
DIODESSOT89-3 |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
SOT-89 |
608900 |
DIODES |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
深圳市富利微电子科技有限公司9年
留言
|
DIODES/美台NA |
30000 |
23+ |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
DIODESSOT89 |
57442 |
2023+ |
|
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
DIODES-美台SOT-89-3 |
36218 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳廊盛科技有限公司6年
留言
|
DIODES/美台SOT-89 |
50000 |
22+ |
只做原装假一罚十,欢迎咨询 |
|||
|
东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
|
DIODES/美台SOT89 |
6888998 |
23+ |
一站式BOM配单 |
|||
|
深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
|
DIODES/美台SOT89 |
13880 |
21+ |
公司只售原装 支持实单 |
|||
|
深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
|
DIODESSOT89 |
25000 |
22+ |
原装现货,价格优惠,假一罚十 |
|||
|
深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
|
DIODES/美台SOT89 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
|||
|
深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
|
DIODES/美台SOT89 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
2DB1386Q-13采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
2DB1386Q-13图片
2DB1386Q-13价格
2DB1386Q-13价格:¥1.1558品牌:Diodes
生产厂家品牌为Diodes的2DB1386Q-13多少钱,想知道2DB1386Q-13价格是多少?参考价:¥1.1558。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,2DB1386Q-13批发价格及采购报价,2DB1386Q-13销售排行榜及行情走势,2DB1386Q-13报价。
2DB1386Q-13中文资料Alldatasheet PDF
更多2DB1386Q-13功能描述:两极晶体管 - BJT 1000W -20Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
2DB1386Q-13
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 100mA,4A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 500mA,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
SOT-89-3
- 描述:
TRANS PNP 20V 5A SOT89-3