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1SV231	文件：117.08 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODE(CATVTUNING) CATVTuning •Highcapacitanceratio:C2V/C25V=15(typ.) •ExcellentC-Vcharacteristics,andsmalltrackingerror. •Usefulforsmallsizetuner.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SV231	文件：265.99 Kbytes Page：3 Pages	CATVTuning	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SV231	文件：33.28 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiode Features ●HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=8(Typ.) ●ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError. ●UsefulforsmallsizeTuner.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1SV231	文件：44.31 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiode Features ●HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=8(Typ.) ●ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError. ●UsefulforsmallsizeTuner.	ZHAOXINGWEIZhaoxingwei Electronics ., Ltd 兆兴威深圳市兆兴威电子有限公司	ZHAOXINGWEI
1SV231	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

更多1SV231/TA供应商更新时间2024-5-1 10:46:00