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1SS196中文资料PDF规格书

1SS196
厂商型号

1SS196

参数属性

1SS196 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

功能描述

Surface mount switching diode

文件大小

359.73 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企业简称

BILIN世纪微电子

中文名称

常州银河世纪微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-19 19:09:00

1SS196规格书详情

FEATURES

● Low forward voltage

VF(3)=0.9V(typ).

● Small total capacitance:CT=0.9pF(typ).

● Fast reverse recovery time:trr=1.6ns(typ).

APPLICATIONS

● High speed switching application.

产品属性

  • 产品编号:

    1SS196(TE85L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    100mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    3pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SC-59-3

  • 工作温度 - 结:

    125°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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