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1SMA5926BT3G分立半导体产品二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

1SMA5926BT3G
厂商型号

1SMA5926BT3G

参数属性

1SMA5926BT3G 封装/外壳为DO-214AC,SMA;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单;产品描述:DIODE ZENER 11V 500MW SMA

功能描述

1.5 Watt Plastic Surface Mount Zener Voltage Regulators
DIODE ZENER 11V 500MW SMA

文件大小

77.9 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 16:55:00

1SMA5926BT3G规格书详情

This complete new line of 1.5 Watt Zener Diodes offers the following advantages.

Features

• Standard Zener Breakdown Voltage Range − 3.3 V to 68 V

• ESD Rating of Class 3 (>16 kV) per Human Body Model

• Flat Handling Surface for Accurate Placement

• Package Design for Top Slide or Bottom Circuit Board Mounting

• Low Profile Package

• Ideal Replacement for MELF Packages

• Pb−Free Packages are Available

1SMA5926BT3G属于分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单。安森美半导体公司制造生产的1SMA5926BT3G二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

产品属性

  • 产品编号:

    1SMA5926BT3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 容差:

    ±5%

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-214AC,SMA

  • 供应商器件封装:

    SMA

  • 描述:

    DIODE ZENER 11V 500MW SMA

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