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1N5950BRL	文件：70.14 Kbytes Page：8 Pages	3 W DO??1 Surmetic TM 30 Zener Voltage Regulators Thisisacompleteseriesof3WZenerdiodeswithlimitsandexcellentoperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxial−lead, transfer−moldedplasticpackagethatoffersprotectioninallcommonenvironmentalcondition	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5950BRLG	文件：70.14 Kbytes Page：8 Pages	3 W DO??1 Surmetic TM 30 Zener Voltage Regulators Thisisacompleteseriesof3WZenerdiodeswithlimitsandexcellentoperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxial−lead, transfer−moldedplasticpackagethatoffersprotectioninallcommonenvironmentalcondition	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5950BRLG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 110V 3W AXIAL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5950	文件：89.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5950	文件：125.03 Kbytes Page：1 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5950	文件：2.01679 Mbytes Page：14 Pages	ZENERDIODES	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
1N5950	文件：2.17986 Mbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
1N5950A	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC	EIC
1N5950A	文件：505.379 Kbytes Page：3 Pages	1.5W110VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N5950A	文件：122.03 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES SILICONZENERDIODES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5950A	文件：36.88 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1N5950A	文件：15.69 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
1N5950A	文件：113.52 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V) Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC	FCI
1N5950A	文件：288.18 Kbytes Page：3 Pages	POWERDISSIPATION:1.5W Features ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Nosuffixindicatesa±20toleranceonnominalVz. SuffixAdenotesa±10,SuffixBdenotesa±5, SuffixCdenotesa±2,SuffixDdenotesa±1.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5950B	文件：240.79 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadZenerDiodes VZ:5.6to200V PD:1.5W Features ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuits withhighpowerrating MechanicalData ●Case:Moldedp	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技	ANOVA
1N5950B	文件：808.8 Kbytes Page：5 Pages	ZenerDiodes1N59Series FEATURES ●Ptot1.5W ●Vz3.3V-240V	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
1N5950B	文件：113.52 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V) Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC	FCI
1N5950B	文件：124.07 Kbytes Page：4 Pages	1.5WattZenerDiode11to200Volts Features •GlassPassivatedJunction •LowProfilePackage •LowInductance •Built-inStrainRelief	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1N5950B	文件：105.54 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5950B	文件：347.3 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODE1.5WATT,3.3THRU200VOLTS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N5913BseriessiliconZenerdiodeisahighqualityvoltageregulatordesignedforuseinautomotive,industrial,commercial,entertainmentandcomputerapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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详细参数

型号：
1N5950BRL
功能描述：
稳压二极管 110V 3W
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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