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1N5941BRL	文件：70.14 Kbytes Page：8 Pages	3 W DO??1 Surmetic TM 30 Zener Voltage Regulators Thisisacompleteseriesof3WZenerdiodeswithlimitsandexcellentoperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxial−lead, transfer−moldedplasticpackagethatoffersprotectioninallcommonenvironmentalcondition	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5941BRL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 47V 3W AXIAL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5941BRLG	文件：70.14 Kbytes Page：8 Pages	3 W DO??1 Surmetic TM 30 Zener Voltage Regulators Thisisacompleteseriesof3WZenerdiodeswithlimitsandexcellentoperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxial−lead, transfer−moldedplasticpackagethatoffersprotectioninallcommonenvironmentalcondition	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5941BRLG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 47V 3W AXIAL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5941	文件：89.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5941	文件：125.03 Kbytes Page：1 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5941	文件：2.17986 Mbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
1N5941	文件：2.01679 Mbytes Page：14 Pages	ZENERDIODES	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
1N5941A	文件：93.62 Kbytes Page：1 Pages	1.5WATTSZENERDIODES 1.5WATTSZENERDIODES 3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5941A	文件：122.03 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES SILICONZENERDIODES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5941A	文件：505.379 Kbytes Page：3 Pages	1.5W47VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N5941A	文件：15.69 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
1N5941A	文件：113.52 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V) Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC	FCI
1N5941A	文件：36.88 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1N5941A	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC	EIC
1N5941A	文件：288.18 Kbytes Page：3 Pages	POWERDISSIPATION:1.5W Features ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Nosuffixindicatesa±20toleranceonnominalVz. SuffixAdenotesa±10,SuffixBdenotesa±5, SuffixCdenotesa±2,SuffixDdenotesa±1.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5941B	文件：808.8 Kbytes Page：5 Pages	ZenerDiodes1N59Series FEATURES ●Ptot1.5W ●Vz3.3V-240V	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
1N5941B	文件：530.27 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiode ■Feature ●Pt1.5W ●Vz3.3V-240V Notes: 1.ZenerTolerance:±5. 2.Thezenerimpedanceisderivedfromthe60-cycleacvoltage,whichresultswhenanaccurrenthavinganrmsvalueequalto10ofthedczenercurrent(IZTorIZK)issuperimposedtoIZTorIZK.。 3.Themaxzenercurrent	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
1N5941B	文件：451.06 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODEVOLTAGE-11TO200Volts FEATURES ●Lowprofilepackage ●Built-instrainrelief ●Glasspassivatedjunction ●Lowinductance ●TypicalIRlessthan1£gAabove11V ●Hightemperaturesoldering:260℃/10secondsatterminals ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassificati	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合明辉电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N5941B	文件：56.43 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES VOLTAGE3.3to200VoltsPOWER1.5Watts FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowinductance •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Pbfreeproductareavailable:99SncanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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产品属性

产品编号：
1N5941BRL
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）
容差：
±5%
工作温度：
-65°C ~ 200°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
轴向
描述：
DIODE ZENER 47V 3W AXIAL

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更多1N5941BRL供应商更新时间2024-5-29 16:16:00

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