1N5804中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
1N5804 |
| 参数属性 | 1N5804 封装/外壳为轴向；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单；产品描述：DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL |
| 功能描述 | HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP |
| 文件大小 |
135.3 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-15 22:30:00 |
1N5804规格书详情
DESCRIPTION
This series of High Efficiency Power Rectifiers allows circuit designers to design high current, high frequency supplies to 500 kHz with very low diode losses. The high forward surge capability makes these devices useful in protective circuits.
FEATURES
● Exceptional Efficiency
● Low Forward Voltage
● Extremely Fast Reverse Recovery Time
● Extremely Fast Forward Recovery Time
● High Surge
● Small Size
● Rugged, High Current Termination
产品属性
- 产品编号：
1N5804
- 制造商：
Semtech Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
散装
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
3.3A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
25pF @ 5V，1MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
轴向
- 供应商器件封装：
轴向
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSCI |
专业军工 |
NA |
1000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
GS |
24+ |
SOD-64 |
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MICROSEMI/美高森美 |
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990000 |
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CHINA |
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MSCI |
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MICROSEMI/美高森美 |
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