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1N5719	文件：12.33 Kbytes Page：1 Pages	SILICON PIN DIODE DESCRIPTION: The1N5719isaSiliconPINDiodeDesignedforGeneralPurposeAttenuatorandSwitchingApplicationsfrom100MHzto3GHz.	ASI Advanced Semiconductor	ASI
1N5719	文件：446.92 Kbytes Page：6 Pages	Multi Purpose Axial Leaded Glass PIN Diodes Description M/A-COM’sseriesoflowandmediumpowerglassPINdiodesarespecificallydesignedforuseinswitches,duplexers,electricallytuneddigitalfiltersAGCattenuators,TRswitchesandRFmodulators.TheypreformparticularlywellindistortionsensitiveenvironmentsfromHFthroughS-	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
1N5719	文件：41.37 Kbytes Page：4 Pages	PIN Diodes for RF Switching and Attenuating Description/Applications ThesegeneralpurposeswitchingdiodesareintendedforlowpowerswitchingapplicationssuchasRFduplexers,antennaswitchingmatrices,digitalphaseshifters,andtimemultiplexfilters.The5082-3188isoptimizedforVHF/UHFbandswitching. TheRFresistanceofaPIN	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
1N5719	文件：161.12 Kbytes Page：4 Pages	Large Dynamic Range Description/Applications ThesegeneralpurposeswitchingdiodesareintendedforlowpowerswitchingapplicationssuchasRFduplexers,antennaswitchingmatrices,digitalphaseshifters,andtimemultiplexflters.The5082-3188isoptimizedforVHF/UHFbandswitching. Features •LowHarmonicDi	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
1N5719	文件：41 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PIN Diode DESCRIPTION: The1N5719isaSiliconPINDiodeDesignedforGeneralPurposeAttenuatorandSwitchingApplicationsfrom100MHzto3GHz.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5719	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：RF DIODE PIN 150V 250MW	Broadcom Limited Broadcom Limited	Broadcom Limited

产品属性

产品编号：
1N5719
制造商：
Broadcom Limited
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
PIN - 单
电压 - 峰值反向（最大值）：
150V
不同 Vr、F 时电容：
0.3pF @ 100V，1MHz
不同 If、F 时电阻：
1.25 欧姆 @ 100mA，100MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
描述：
RF DIODE PIN 150V 250MW

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