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1N5712UB	文件：55.97 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODES LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5712UB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SCHOTTKY DIODE	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5712UBCA	文件：55.97 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODES LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5712UBCC	文件：55.97 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODES LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5712UBD	文件：55.97 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODES LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5712UBCC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：3-SMD，无引线类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SCHOTTKY DIODE	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5712UBD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：4-SMD，无引线类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SCHOTTKY BARRIER DIODE CERAMIC S	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5712	文件：56.87 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiodesforGeneralPurposeApplications Description The1N5711,1N5712,5082-2800/10/11arepassivatedSchottkybarrierdiodeswhichuseapatented“guardring”designtoachieveahighbreakdownvoltage.Packagedinalowcost glasspackage,theyarewellsuitedforhighleveldetecting,mixing,switching,gating,logorA-Dconv	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
1N5712	文件：54.13 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES ◇Metal-to-siliconjunction ◇Highbreakdownvoltage ◇Lowturn-onvoltage ◇Ultrafastswitchingspeed ◇PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N5712	文件：58.49 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES •Metal-on-siliconjunction •Highbreakdownvoltage •Lowturn-onvoltage •Ultrafastswitchingspeed •PrimarilyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange •ThediodeisalsoavailableintheMiniMELFcasewithtypedesignationLL5	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1N5712	文件：55.97 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5712	文件：124.62 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyBarrierDiodesforGeneralPurposeApplications Description/Applications The1N5711,1N5712,5082-2800/10/11arepassivatedSchottkybarrierdiodeswhichuseapatented“guardring”designtoachieveahighbreakdownvoltage.Packagedinalowcostglasspackage,theyarewellsuitedforhighleveldetecting,mixing,switching,gating,logor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5712	文件：543.771 Kbytes Page：3 Pages	20VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N5712	文件：543.771 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N5712	文件：433.18 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYDIODES SCHOTTKYDIODES •Forgeneralpurposeapplications •Metal-on-siliconSchottkybarrierdevicewhichisprotected byaPNjunctionguardring.Thelowforwardvoltagedrop andfastswitchingmakeitidealforprotectionofMOSdevices.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5712	文件：536.51 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES Features ●Metal-to-siliconjunction ●Highbreakdownvoltage ●Lowturn-onvoltage ●Ultrafastswitchingspeed	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
1N5712	文件：264.7 Kbytes Page：7 Pages	PicoSecondSwitchingSpeed Description/Applications The1N5711,1N5712,5082-2800/10/11arepassivatedSchottkybarrierdiodeswhichuseapatented“guardring”designtoachieveahighbreakdownvoltage.Packagedinalowcostglasspackage,theyarewellsuitedforhighleveldetecting,mixing,switching,gating,logor	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
1N5712	文件：275.19 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES ◇Metal-to-siliconjunction ◇Highbreakdownvoltage ◇Lowturn-onvoltage ◇Ultrafastswitchingspeed ◇PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1N5712	文件：153.85 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes Features ◇Metal-to-siliconjunction ◇Highbreakdownvoltage ◇Lowturn-onvoltage ◇Ultrafastswitchingspeed ◇PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5712	文件：54.79 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES ◇Metal-to-siliconjunction ◇Highbreakdownvoltage ◇Lowturn-onvoltage ◇Ultrafastswitchingspeed ◇PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange	KISEMICONDUCTORKwang Myoung I.S. CO.,LTD 明阳国际贸易广州市明阳国际贸易有限公司	KISEMICONDUCTOR

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产品属性

产品编号：
1N5712UB
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
描述：
SCHOTTKY DIODE

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更多1N5712UB供应商更新时间2024-5-21 10:18:00

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