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1N5711中文资料PDF规格书

1N5711
厂商型号

1N5711

参数属性

1N5711 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 射频;产品描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V 250MW

功能描述

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES

文件大小

46.24 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企业简称

BILIN世纪微电子

中文名称

常州银河世纪微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-1 23:00:00

1N5711规格书详情

VOLTAGE RANGE: 70V POWER DISSIPATION: 400 mW

FEATURES

◇ For general purpose applications

◇ fast switching and low logic level applications

Metal silicon schottky barrier device which is protected

by a PN junction guard ring. The low forward voltage

drop and fast switching m ake it ideal for protection of

MOS devices,steering,biasing and coupling diodes for

产品属性

  • 产品编号:

    1N5711

  • 制造商:

    Broadcom Limited

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基 - 单

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    70V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2pF @ 0V,1MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    DO-204AH,DO-35,轴向

  • 描述:

    RF DIODE SCHOTTKY 70V 250MW

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
23+
DO35
7350
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ST/意法
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ST/意法半导体
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DO-35
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ST(意法半导体)
23+
DO-35
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ST/意法半导体
21+
DO-35
10000
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