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1N5530A	文件：243.11 Kbytes Page：2 Pages	0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES FEATURES Lowzenernoisespecified Lowzenerimpedance Lowleakagecurrent Hermeticallysealedglasspackage	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
1N5530A	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW •1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5530A	文件：166.09 Kbytes Page：1 Pages	LOW VOLTAGE AVALANCHES SILICON OXIDE PASSIVATED ZENER REGULATOR DIODES LOWVOLTAGEAVALANCHESSILICONOXIDEPASSIVATEDZENERREGULATORDIODES LOWVOLTAGEAVALANCHEZENERDIODES 400MILLIWATTS 3.3THRU33VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5530A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：VOLTAGE REGULATOR	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5530A-1	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW •1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5530AUR	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW •1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5530AUR-1	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW •1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5530A/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：VOLTAGE REGULATOR	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5530	文件：243.11 Kbytes Page：2 Pages	0.4WLOWVOLTAGEAVALANCHEDIODES FEATURES Lowzenernoisespecified Lowzenerimpedance Lowleakagecurrent Hermeticallysealedglasspackage	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
1N5530	文件：39.07 Kbytes Page：1 Pages	LOWVOLTAGEAVALANCHEZENERDIODESHIGHPERFORMANCE:LOWNOISE,LOWLEAKAGE LOWVOLTAGEAVALANCHEZENERDIODES HIGHPERFORMANCE:LOWNOISE,LOWLEAKAGE 1.PackageStyleDO-7 2.SuffixdenotesVztolerance:nonsuffix±20,Asuffix±10:Ir@Vr1,Vz,+Vfonly.SuffixB±5:Ir@Vr2,Vz,DVz,Vf,ND. 3.Measuredwith10,60HzACsuperimposedonIzt. 4.Measuredfrom	KNOXKnox Semiconductor, Inc Knox Semiconductor, Inc	KNOX
1N5530	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNTZENERDIODE,500mW •1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5530	文件：324.68 Kbytes Page：3 Pages	LowVoltageAvalanche500mWZenerDiodesDO-35 FEATURES •LOWZENERNOISESPECIFIED •LOWZENERIMPEDANCE •LOWLEAKAGECURRENT •HERMETICALLYSEALEDGLASSPACKAGE •JAN/JANTX/JANTXVAVAILIBLEON1N5518-1TROUGH1N5546-1PERMIL-S-19500/437	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5530	文件：191.3 Kbytes Page：1 Pages	0.4WLOWVOLTAGEAVALANCHEDIODES FEATURES Lowzenernoisespecified Lowzenerimpedance Lowleakagecurrent Hermeticallysealedglasspackage	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5530	文件：81.72 Kbytes Page：2 Pages	LOWVOLTAGEAVALANCHEDIODESDO-35 FEATURES •LOWZENERNOISESPECIFIED •LOWZENERIMPEDANCE •LOWLEAKAGECURRENT •HERMETICALLYSEALEDGLASSPACKAGE •JAN/JANTX/JANTXVAVAILIBLEON1N5518-1TROUGH1N5546-1PERMIL-S-19500/437	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5530B	文件：114.68 Kbytes Page：2 Pages	LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5530B	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNTZENERDIODE,500mW •1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5530B	文件：243.11 Kbytes Page：2 Pages	0.4WLOWVOLTAGEAVALANCHEDIODES FEATURES Lowzenernoisespecified Lowzenerimpedance Lowleakagecurrent Hermeticallysealedglasspackage	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
1N5530B	文件：99.16 Kbytes Page：2 Pages	LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •1N5518-1THRU1N5546B-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •LOWNOISECHARACTERISTICS •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
1N5530BUR	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNTZENERDIODE,500mW •1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5530BUR	文件：333.31 Kbytes Page：3 Pages	LowVoltageSurfaceMount500mWAvalancheDiodes •1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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产品属性

产品编号：
1N5530A
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
散装
容差：
±10%
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35（DO-204AH）
描述：
VOLTAGE REGULATOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N5530A供应商更新时间2024-6-19 10:35:00

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