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1N5529BUR	文件：333.31 Kbytes Page：3 Pages	Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes •1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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1N5529BUR-1	文件：111.15 Kbytes Page：2 Pages	ZENER DIODE, 500mW	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5529BUR-1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5529BUR-1/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-213AA 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5529	文件：39.07 Kbytes Page：1 Pages	LOWVOLTAGEAVALANCHEZENERDIODESHIGHPERFORMANCE:LOWNOISE,LOWLEAKAGE LOWVOLTAGEAVALANCHEZENERDIODES HIGHPERFORMANCE:LOWNOISE,LOWLEAKAGE 1.PackageStyleDO-7 2.SuffixdenotesVztolerance:nonsuffix±20,Asuffix±10:Ir@Vr1,Vz,+Vfonly.SuffixB±5:Ir@Vr2,Vz,DVz,Vf,ND. 3.Measuredwith10,60HzACsuperimposedonIzt. 4.Measuredfrom	KNOXKnox Semiconductor, Inc Knox Semiconductor, Inc	KNOX
1N5529	文件：81.72 Kbytes Page：2 Pages	LOWVOLTAGEAVALANCHEDIODESDO-35 FEATURES •LOWZENERNOISESPECIFIED •LOWZENERIMPEDANCE •LOWLEAKAGECURRENT •HERMETICALLYSEALEDGLASSPACKAGE •JAN/JANTX/JANTXVAVAILIBLEON1N5518-1TROUGH1N5546-1PERMIL-S-19500/437	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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1N5529	文件：191.3 Kbytes Page：1 Pages	0.4WLOWVOLTAGEAVALANCHEDIODES FEATURES Lowzenernoisespecified Lowzenerimpedance Lowleakagecurrent Hermeticallysealedglasspackage	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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1N5529B	文件：295.88 Kbytes Page：3 Pages	0.5WZenerDiode Features SharpReverseCharacteristics LowReverseCurrentLevels HighReliabilityGoldBackMetal HighReliabilityTestedGrades.	SS Silicon Supplies	SS
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详细参数

型号：
1N5529BUR
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

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