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1N5402	文件：1.24448 Mbytes Page：2 Pages	3.0AMPS.SiliconRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
1N5402	文件：45.85 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-3.0Amperes FEATURES ●Lowcost ●Diffusedjunction ●Lowforwardvoltagedrop ●Lowreverseleakagecurrent ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0	CTC ctconline	CTC
1N5402	文件：692.91 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-3.0Ampere FEATURES ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ●Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Hightem	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1N5402	文件：95.27 Kbytes Page：1 Pages	LEADED(THRU-HOLE)GeneralPurposeRectifiers,1to8Amps LEADED(THRU-HOLE) GeneralPurposeRectifiers,1to8Amps	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
1N5402	文件：422.22 Kbytes Page：2 Pages	3ASiliconRectifiers PRODUCTSUMMARY Voltageratingsavailablefrom50Voltsto1000Volts FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
1N5402	文件：141.29 Kbytes Page：3 Pages	3.0AmpSiliconRectifiers Features •Lowforwardvoltagedrop. •Highreliability •Highcurrentcapability •Highsurgecurrentcapability	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
1N5402	文件：1.46473 Mbytes Page：2 Pages	SILICONGENERALPURPOSE3.0AMPDIODES	EDAL Edal Industries, Inc.	EDAL
1N5402	文件：52.1 Kbytes Page：2 Pages	HIGHCURRENTPLASTICSILICONRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5402	文件：228.33 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPS.SiliconRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
1N5402	文件：102.93 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeRectifier3.0A Features •Diffusedjunction •Highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowpowerloss •Highsurgecurrentcapability	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
1N5402	文件：74 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposePlasticRectifier FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Foruseingeneralpurposerectifi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5402	文件：122.38 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposePlasticRectifierReverseVoltage50to1000VForwardCurrent3.0A ReverseVoltage50to1000V ForwardCurrent3.0A Features •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecapability •Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10seconds,0.375(9.5mm)leadlength,5lbs.(2.3kg)tension •LeadandbodyaccordingwithROHSstandard	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 如皋市大昌如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
1N5402	文件：140.48 Kbytes Page：3 Pages	3.0AmpRectifiers Features •Lowforwardvoltagedrop. •Lowreverseleakagecurrent •Highcurrentcapability •Highsurgecurrentcapability	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
1N5402	文件：503.6 Kbytes Page：4 Pages	3AmpRectifier50-1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1N5402	文件：96.42 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifierDiodes??Silizium-Gleichrichterdioden	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N5402	文件：66.51 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT3.0Amperes FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
1N5402	文件：233.68 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦Highte	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1N5402	文件：163.81 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIERVOLTAGE:50TO1000VCURRENT:3.0A VOLTAGE:50TO1000VCURRENT:3.0A FEATURE ●Moldedcasefeatureforautoinsertion ●Highcurrentcapability ●Lowleakagecurrent ●Highsurgecapability ●Hightemperaturesolderingguaranteed250°C/10sec/0.375”leadlengthat5lbstension	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
1N5402	文件：158.44 Kbytes Page：2 Pages	AXIALSILASTICGUARDJUNCTIONSTANDARDRECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT3.0Ampere FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Lowforwardvoltagedrop ·Lowreverseleakage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
1N5402	文件：284.934 Kbytes Page：2 Pages	3A200VRectifyingtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE

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产品属性

产品编号：
1N5402G-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
带盒（TB）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
40pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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