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1N5402	文件：910.93 Kbytes Page：2 Pages	RectifierDiodes ■Features ●Lowcoatconstruction ●Lowforwardvoltagedrop ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurgecurrentcapability	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N5402	文件：80.05 Kbytes Page：2 Pages	3.0AAxialLeadedRectifier Features ●DiffusedJunction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
1N5402	文件：261.95 Kbytes Page：2 Pages	SILICONRECTIFIERS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N5400seriesypesareaxialleadsiliconpowerrectifiersdesignedforpowersupplyandgeneralpurposerectifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
1N5402	文件：533.48 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦Hightem	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
1N5402	文件：127.72 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERS	CTC ctconline	CTC
1N5402	文件：74.34 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposePlasticRectifier FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Foruseingeneralpurposerectifi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5402	文件：513.37 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPS.SiliconRectifiers Features ◇Highefficiency,LowVF ◇Highcurrentcapability ◇Highreliability ◇Highsurgecurrentcapability ◇Lowpowerloss	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合明辉电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N5402	文件：692.91 Kbytes Page：2 Pages	Lowreverseleakage	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
1N5402	文件：205.46 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposePlasticRectifiersReverseVoltage50to1200VForwardCurrent3.0A	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
1N5402	文件：149.57 Kbytes Page：2 Pages	3.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERS Features ■LOWCOST ■LOWLEAKAGE ■DIFFUSEDJUNCTION ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC	FCI
1N5402	文件：43.47 Kbytes Page：2 Pages	HIGHCURRENTPLASTICSILICONRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5402	文件：291.6 Kbytes Page：2 Pages	3AMPGENERALPURPOSESILICONDIODES ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-3.0Ampere FEATURES ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ●Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Hightem	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
1N5402	文件：213.1 Kbytes Page：2 Pages	CURRENT3.0AmperesVOLTAGE50to1000Volts Features ·TheplasticpackagecarriesUnderwritesLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ·Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ·Highsurgecurrentcapability ·3.0AoperationatTL=70℃withnothermalrunaway ·TypicalIRlessthan0.1μA ·Hightemperaturesolde	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
1N5402	文件：34.87 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-3.0Amperes FEATURES ●Lowcost ●Diffusedjunction ●Lowforwardvoltagedrop ●Lowreverseleakagecurrent ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
1N5402	文件：52.21 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIER VOLTAGERANGE:50---1000V CURRENT:3.0A FEATURES ◇Lowcost ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highcurrentcapability ◇EasilycleanedwithAlcohol,Isopropanolandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N5402	文件：39.97 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSILICONRECTIFIER FEATURE •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Lowpowerloss,highefficiency •Highsurgecapability •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10sec/0.375leadlengthat5lbstension	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
1N5402	文件：171.51 Kbytes Page：5 Pages	3.0ASTANDARDRECTIFIER 3.0AStandardRectifier Features •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighSurgeCurrentCapability •HighReliability •HighTemperatureSolderingGuaranteed260°C/10seconds/.375(9.5mm)leadlength,5lbs(2.3kg)tension •RoHScompliant	TAITRON TAITRON	TAITRON
1N5402	文件：350.41 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadSiliconRectifiersSILICONRECTIFIERS3.0AMPERES50-1000VOLTS SILICONRECTIFIERS3.0AMPERES50-1000VOLTS Features: Lowforwardvoltagedrop. Highcurrentcapability. Highreliability. Highsurgecurrentcapability.	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
1N5402	文件：103.73 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMP.StandardSiliconRectifiers VOLTAGE:50TO1000VCURRENT:3.0A SpecificationFeatures: ■Case:Epoxy,Molded ■Weight:1.20Gram(Approximately) ■Highcurrentcapability,Lowleakagecurrent ■Highsurgecurrentcapability ■Finish:AllExternalSurfacesCorrosionResistantAndTerminalLeadsAreReadilySolderable ■Le	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
1N5402	文件：258.19 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGE50V~1000V3.0AMPSiliconRectifiers FEATURES LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability HighReliability HighSurgeCurrentCapability	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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产品属性

产品编号：
1N5402-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-27（DO-201AD）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 125°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科雨电子有限公司	1N5402-G	COMCHIP	1809+	DO-27	16750	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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更多1N5402-G供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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