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1N5362A	文件：121.99 Kbytes Page：3 Pages	SILICON ZENER DIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5362A	文件：31.7 Kbytes Page：2 Pages	SILICON ZENER DIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5362A	文件：204.32 Kbytes Page：1 Pages	5-WATT ZENER REGULATOR DIODES 3.3-200 VOLTS 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5362A	文件：103.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICON ZENER DIODES	EIC EIC	EIC
1N5362A/TR8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：T-18，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 28V 5W T18	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5362AE3/TR12	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：T-18，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 28V 5W T18	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5362AE3/TR13	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：T-18，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 28V 5W T18	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5362	文件：108.81 Kbytes Page：2 Pages	5.0Wattsurmetic40siliconzcncrdiodes 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5362	文件：281.2 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONPLANARZENERDIODES FEATURES •Lowleakage,lowzenerimpedanceatlowcurrent •Maximumpowerdissipationof5Wisideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10secondsatterminals •Standardzenervoltagetoleranceavailableis±20.Suffix“A” in	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1N5362B	文件：382.97 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
1N5362B	文件：3.30836 Mbytes Page：5 Pages	POWERDISSIPATION POWERDISSIPATION:5.0W FEATURES ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhigh powerrating. ◇Standardzenervoltagetoleranceis±10.Add suffixBfor±5tolerance.otherzenervoltage andtolerancesareavailableuponrequest.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5362B	文件：2.31638 Mbytes Page：5 Pages	ZenerDiodes ■Features ●ZenerVoltageRange3.3Vto200V ●ESDRatingofClass3(>16kV)perHumanBodyModel ●SurgeRatingofupto180W@8.3ms ●5WattSurmetic™40	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N5362B	文件：131.84 Kbytes Page：2 Pages	ZenerDiodes	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N5362B	文件：204.81 Kbytes Page：3 Pages	ZENERDIODE	IRI IRI	IRI
1N5362B	文件：242.8 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadZenerDiodes	ANOVA Anova Technologies CO., LTD.	ANOVA
1N5362B	文件：255.97 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadZenerDiodes	ANOVA Anova Technologies CO., LTD.	ANOVA
1N5362B	文件：2.31693 Mbytes Page：5 Pages	ZenerDiode	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5362B	文件：360.87 Kbytes Page：3 Pages	5W28VTAIWANSUNMATESEMICONDUCTORCO.,LIMITED	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N5362B	文件：47.74 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5362B	文件：453.15 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
1N5362A
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
5.0W, VZ = 28V, ? 10% - Tape and Reel
功能描述：
DIODE ZENER 5.0W 28V 10% T-18

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	1N5362A	EIC	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	1N5362AE3/TR13	Microsemi	1942+	N/A	908	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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深圳市深创辉科技有限公司	1N5362B	ONSEMI			1000	原装正品现货供应	询价
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更多1N5362A供应商更新时间2024-4-23 14:51:00

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