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1N5359	文件：114.89 Kbytes Page：2 Pages	SILICON5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5333-5388BJEDECregisteredseriesofaxial-leaded5.0wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbyspecificsuffixletteronthepartnumber.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificatio	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5359	文件：108.81 Kbytes Page：2 Pages	5.0Wattsurmetic40siliconzcncrdiodes 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5359	文件：281.2 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONPLANARZENERDIODES FEATURES •Lowleakage,lowzenerimpedanceatlowcurrent •Maximumpowerdissipationof5Wisideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10secondsatterminals •Standardzenervoltagetoleranceavailableis±20.Suffix“A” in	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1N5359A	文件：103.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC	EIC
1N5359A	文件：204.32 Kbytes Page：1 Pages	5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5359A	文件：31.7 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5359A	文件：121.99 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5359B	文件：869.5 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONZENERDIODE VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1N5359B	文件：312.03 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONZENERDIODES Descriptions StandardcaseisDO-15,D2Acaseisavailableuponrequest.Forexample:1N5335B(D2A)meansthecaseinD2A. Features •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5359B	文件：82.61 Kbytes Page：8 Pages	5WattSurmeticTM40ZenerVoltageRegulators 5WattSurmetic40ZenerVoltageRegulators Thisisacompleteseriesof5WattZenerdiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxiallead,transfer−moldedplasticpackagethatoffers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5359B	文件：100.88 Kbytes Page：3 Pages	5WattZENERDIODES Features ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC	FCI
1N5359B	文件：49.44 Kbytes Page：1 Pages	Zenersilicondiodes	SemikronSemikron 赛米控	Semikron
1N5359B	文件：360.87 Kbytes Page：3 Pages	5W24VTAIWANSUNMATESEMICONDUCTORCO.,LIMITED	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N5359B	文件：453.15 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5359B	文件：47.74 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5359B	文件：277.52 Kbytes Page：5 Pages	ZENERDIODES POWERDISSIPATION:5.0W FEATURES ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhighpowerrating. ◇Standardzenervoltagetoleranceis±10.AddsuffixBfor±5tolerance.otherzenervoltageandtolerancesareavailableuponrequest.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N5359B	文件：86.79 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
1N5359B	文件：189.37 Kbytes Page：5 Pages	5.0WZenerDiodes Features •Glasspassivatedjunction •Completevoltagerange3.3to200V •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON	TAITRON
1N5359B	文件：59.09 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
1N5359B	文件：361.494 Kbytes Page：3 Pages	AXIALLEADEDSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE

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