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1N4103DUR-1中文资料PDF规格书

1N4103DUR-1
厂商型号

1N4103DUR-1

功能描述

SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

文件大小

109.42 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 17:59:00

1N4103DUR-1规格书详情

• 1N4099UR-1 THRU 1N4135UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435

• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT

• LOW CURRENT OPERATION AT 250 µA

• METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500mW @ TEC= +125°C

Power Derating: 10mW/ °C above TEC= +125°C

Forward Derating @ 200 mA: 1.1 Volts maximum

产品属性

  • 型号:

    1N4103DUR-1

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全称:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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