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1N4001L-T	文件：74.52 Kbytes Page：3 Pages	1.0A RECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
1N4001L-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
1N4001	文件：53.16 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIER(VOLTAGE-50to1000VoltsCURRENT-1.0Ampere) Features 1.Lowforwardvoltagedrop 2.Highcurrentcapability 3.Highreliability 4.Highsurgecurrentcapability	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N4001	文件：40.03 Kbytes Page：5 Pages	Rectifiers(Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction) DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction.Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. FEATURES •Glasspassivated •Highmaximumoperatingtemperature •Lowleakagecurrent •Excellent	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
1N4001	文件：52.83 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASILICONRECTIFIER Features ●DiffusedJuction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N4001	文件：225.83 Kbytes Page：2 Pages	SILICONRECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
1N4001	文件：60.03 Kbytes Page：2 Pages	1.0AGLASSPASSIVATEDRECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto30APeak •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
1N4001	文件：697.41 Kbytes Page：1 Pages	1AMPPLASTICSILICONRECTIFIER	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
1N4001	文件：150.65 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	BYTES Bytes	BYTES
1N4001	文件：45.28 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦H	GE GE Industrial Company	GE
1N4001	文件：153.34 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIER FEATURES •TheplasticpackagecarriesUnderwritesLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecurrentcapability •Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C/10seconds,0.375(9.5mm)lead	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
1N4001	文件：427.58 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSILICONRECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-1.0Ampere FEATURES Lowcost Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
1N4001	文件：177.42 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIER ReverseVoltage50to1000VoltsForwardCurrent1.0Ampere Features ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoriesFlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecapability ♦Hightemperaturesoldering	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
1N4001	文件：59.19 Kbytes Page：2 Pages	1.0ARECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto30APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
1N4001	文件：32.2 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSILICONRECTIFIERS	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N4001	文件：48.72 Kbytes Page：2 Pages	1AGENERALDIODES ReverseVoltage50to1200VForwardCurrent1.0A Feature PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoriesFlammabilityClassification94V-0 Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique Lowreverseleakage Highforwardsurgecapability Diffusedjunction Hightemperature	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
1N4001	文件：86.53 Kbytes Page：3 Pages	1AmpRectifier50-1000Volts Features •LowCurrentLeakageandLowCost •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)·EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ·MoistureSensitivityLevel1(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1N4001	文件：35.99 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposePlasticRectifier ReverseVoltage:50to1000V ForwardCurrent:1.0A Features -PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 -Lowreverseleakage -Highforwardsurgecapability -Hightemperaturesolderingguaranteed:350°C/10 Seconds,0.375(9.5mm)leadlength -Gu	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N4001	文件：184.44 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifiers Features VRRMupto2000VSpecialgrade1N400xGPavailableComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplication 50/60HzMainsRectification,PowerSupplies,PolarityProtectionCommercialgrade1) MechanicalData1) Tapedinammopack5000 Weight	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N4001	文件：30.39 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadStandardRecoveryRectifiers AxialLeadStandardRecoveryRectifiers Thisdatasheetprovidesinformationonsubminiaturesize,axialleadmountedrectifiersforgeneral−purposelow−powerapplications. Features •ShippedinPlasticBags,1000perbag •AvailableTapeandReeled,5000perreel,byaddinga“RL”suffixtot	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
1N4001L-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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