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1N3612	文件：52.83 Kbytes Page：2 Pages	MILITARY RECTIFIERS DESCRIPTION This“standardrecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/228andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized1.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom200to1000voltsar	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3612	文件：64.39 Kbytes Page：2 Pages	MILITARY RECTIFIERS DESCRIPTION This“standardrecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/228andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized1.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom200to1000voltsar	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3612	文件：37.08 Kbytes Page：2 Pages	HERMETIC AXIAL LEAD RECTIFIER DESCRIPTION:A200/400/600/800/1000VOLT,1AMP,5000NANOSECONDRECTIFIER.	SENSITRON Sensitron	SENSITRON
1N3612	文件：95.13 Kbytes Page：2 Pages	Axial Leaded Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode Lowreverseleakagecurrent HermeticallysealedinMetoxilitefusedmetaloxide Goodthermalshockresistance Lowforwardvoltagedrop Avalanchecapability TheseproductscanbesuppliedasJANTXlevels.	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N3612	文件：82.18 Kbytes Page：1 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS PRV:200-1000Volts Io:1.0Ampere FEATURES: Glasspassivatedchip Highforwardsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree MECHANICALDATA: Case:M1AMoldedplastic Epoxy:UL94V-Orateflameretardant *	EIC EIC	EIC
1N3612	文件：112.23 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIERS 1.0 AMP, 200 THRU 1000 VOLTS TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N3611thru1N3614,and1N3957arehermeticallysealed,glasspassivated,generalpurposesiliconrectifiersidealforcommercial,military,automotiveandentertainmentapplicationsrequiringhighreliabilityandfailurefreeperformance.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
1N3612	文件：134.45 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Rectifiers in A Bodt Package 1N645Series•400maRectifiersinD0-35Package 1N3611Series•GeneralPurposeRectifiersinABodyPackage	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N3612	文件：548.71 Kbytes Page：2 Pages	STANDARD RECOVERY RECTIFIERS	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N3612	文件：411.08 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIERS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
1N3612	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N3612	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：A，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N3612GP	文件：61.22 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER ReverseVoltage-200to1000VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction ♦CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500 ♦Glasspassivatedcavit	GE GE Industrial Company	GE
1N3612GP	文件：76.83 Kbytes Page：4 Pages	Glass Passivated Junction Rectifier IF(AV)1.0A VRRM200Vto1000V IFSM30A IR1.0μA VF1.0V TJmax.175°C FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilityapplication •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent,IRlessthan0.1μA •Highforwardsurgecapability	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N3612GP	文件：1.87513 Mbytes Page：2 Pages	Glass Passivated Junction Rectifier 200V-1000V1.0A FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilityapplication •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent,IRlessthan0.1μA •Highforwardsurgecapability •MeetsenvironmentalstandardMIL-S-19500 •Solderdip275°Cm	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
1N3612GP	文件：101.98 Kbytes Page：5 Pages	Glass Passivated Junction Plastic Rectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliability application •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent,IRlessthan0.1μA •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:ford	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N3612GP-E3/54	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
JAN1N3612	文件：52.83 Kbytes Page：2 Pages	MILITARYRECTIFIERS DESCRIPTION This“standardrecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/228andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized1.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom200to1000voltsar	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN1N3612	文件：64.39 Kbytes Page：2 Pages	MILITARYRECTIFIERS DESCRIPTION This“standardrecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/228andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized1.0Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom200to1000voltsar	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN1N3612	文件：238.09 Kbytes Page：5 Pages	VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN1N3612	文件：226.83 Kbytes Page：5 Pages	VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALEDSTANDARDRECOVERYGLASSRECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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产品属性

产品编号：
1N3612
制造商：
Semtech Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
轴向
供应商器件封装：
轴向
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N3612供应商更新时间2024-4-29 10:19:00

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