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BFR182T	文件：68.31 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR182T	文件：203.07 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR182TF	文件：82.5 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditiontos	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR182TW	文件：68.31 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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BFR182TW	文件：564.27 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiers atcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Lownoisefigure ·Highpowergain	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFR182W	文件：672.28 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR182W	文件：517.63 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR182W	文件：55.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHzF=1.2dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFR182W	文件：79.15 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

产品属性

产品编号：
182RI,BK
制造商：
Serpac
类别：
盒子，外壳，机架 > 箱
系列：
S
包装：
袋
容器类型：
盒
大小 / 尺寸：
14.210" 长 x 4.880" 宽（360.93mm x 123.95mm）
高度：
2.000"（50.80mm）
面积 (L x W)：
69.3in²（447cm²）
设计：
手持，分叉式双侧
材料：
塑料 - ABS
颜色：
黑色
厚度：
0.100"（2.54mm）
特性：
正面检修，PCB 支座
等级：
IP40，NEMA 1
材料可燃性等级：
UL94 HB
描述：
BOX ABS BLACK 14.210\

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更多182RI,BK供应商更新时间2024-6-1 16:06:00

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