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16N50C3	文件：729.27 Kbytes Page：14 Pages	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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ISPW16N50C3	文件：335.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •ImprovedTransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤280mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SPA16N50C3	文件：363.45 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SPW16N50C3	文件：244.91 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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更多16N50C3供应商更新时间2024-6-19 14:10:00

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