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15N60C3	文件：689.7 Kbytes Page：14 Pages	Cool MOS??Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
15N60C3	文件：689.7 Kbytes Page：14 Pages	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
ISPW15N60C3	文件：335.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤280mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA15N60C3	文件：337.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighfastswitchingPowerSupply •FEATURES •Drain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.28Ω@10V •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SPA15N60C3	文件：263.73 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SPI15N60C3	文件：290.55 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Ultraloweffectivecapacitances •Lowgatecharge •Improvedtransconductance •Lowgatedrivepowerloss •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP15N60C3	文件：689.7 Kbytes Page：14 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SPP15N60C3	文件：689.7 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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