12N03说明书PDF资料供应价格微碧半导体-114ic电子网

首页 >12N03>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
12N03	文件：1.82632 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
12N035	文件：36.2 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Field Effect Transistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
12N035S	文件：36.2 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Field Effect Transistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
12N035T	文件：36.2 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Field Effect Transistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
12N03L	文件：1.01591 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
12N03L.	文件：960.51 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
EMB12N03A	文件：222.01 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)12mΩ ID25A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03G	文件：191.82 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)12mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03H	文件：218.65 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03HR	文件：218.4 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)11.5mΩ ID25A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03V	文件：216.35 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)11.5mΩ ID18.5A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03VAT	文件：187.09 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)11.5mΩ ID9A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
IPD12N03L	文件：152.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries Feature •N-Channel •LogicLevel •LowOn-ResistanceRDS(on) •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Idealforfastswitchingbuckconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Package Marking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPF12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Package Marking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPS12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Package Marking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPU12N03L	文件：152.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries Feature •N-Channel •LogicLevel •LowOn-ResistanceRDS(on) •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Idealforfastswitchingbuckconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPU12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Package Marking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
PJ12N03D	文件：151.1 Kbytes Page：4 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SSG12N03	文件：479.72 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

12 >>>

详细参数

型号：
12N03
功能描述：
N-Channel Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宇集芯电子有限公司	12N03	Infineon/英飞凌	24+	SOT-252	163000	一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理	询价
深圳市勤思达科技有限公司	12N03	HARRIS	12+	TO-252	15000	全新原装,绝对正品,公司现货供应。	询价
深圳市博浩通科技有限公司	12N03	哈利斯	23+	SOT-252	6650	专业优势供应	询价
深圳市瑞新盛科技有限公司	12N03	台产	2019+	TO-252	183655	专营低压MOS现货库存原装正品	询价
深圳兆威电子有限公司	12N03	VB	2019	TO-252-3	55000	绝对原装正品假一罚十!	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	12N03		2020+	TO252	16800	绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	12N03	VBsemi/台湾微碧	21+	TO-252-3	32462	原装现货假一赔十	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	12N03	VBSEMI/台湾微碧		TO-252-3	265209	假一罚十原包原标签常备现货!	询价
深圳市振芯物联科技有限公司	12N03	VBsemi/台湾微碧	22+	TO-252-3	32350	原装正品假一罚十公司现货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	12N03	INFINEON/英飞凌	23+	TO-252	6000	专注配单,只做原装进口现货	询价

更多12N03供应商更新时间2024-6-14 15:01:00

详细参数

相关规格书

相关库存