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10V60SP	文件：850.22 Kbytes Page：3 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
10V60	文件：907.38 Kbytes Page：3 Pages	10AmperelowvfSchottkydiode FEATURE .Forsurfacemountedapplication .Highcurrentcapability .Lowforwardvoltagedrop .Lowpowerloss,highefficiency .Highsurgecurrentcapability .Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10secondsatterminals.	ASEMIASEMI TECHNOLOGY., LTD 强元芯电子强元芯电子（广东）有限公司	ASEMI
MGBR10V60C	文件：123.32 Kbytes Page：3 Pages	DUALMOSGATEDBARRIERRECTIFIER	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
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SBP10V60CT	文件：2.69202 Mbytes Page：5 Pages	10ALOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
TK10V60W	文件：274.46 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.327Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TSA10V60	文件：610.6 Kbytes Page：3 Pages	TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

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更多10V60SP供应商更新时间2024-5-1 16:18:00

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