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10N120BN中文资料PDF规格书

10N120BN
厂商型号

10N120BN

功能描述

35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

文件大小

81.67 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Intersil Corporation
企业简称

Intersil瑞萨电子

中文名称

瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-5 16:11:00

10N120BN规格书详情

The HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and HGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low onstate conduction loss of a bipolar transistor.

Features

• 35A, 1200V, TC = 25oC

• 1200V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150oC

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Avalanche Rated

• Thermal Impedance SPICE Model

   Temperature Compensating SABER™ Model

   www.intersil.com

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