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100B1R5BT500XT1K	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：1111（2828 公制）类别：电容器陶瓷电容器描述：CAP CER 1.5PF 500V P90 1111	American Technical Ceramics American Technical Ceramics	American Technical Ceramics
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ATC100B1R5BT500XT	文件：1.14805 Mbytes Page：32 Pages	RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
ATC100B1R5BT500XT	文件：852.88 Kbytes Page：17 Pages	RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifier	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
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ATC100B1R5BT500XT	文件：557.94 Kbytes Page：16 Pages	N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs Features GreaterNegativeGate--SourceVoltageRangeforImprovedClassC Operation DesignedforDigitalPredistortionErrorCorrectionSystems OptimizedforDohertyApplications InTapeandReel.R3Suffix=250Units,32mmTapeWidth,13--inchReel.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
ATC100B1R5BT500XT	文件：461.16 Kbytes Page：13 Pages	RFPowerLDMOSTransistor N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This50wattRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerformance:VDD=28Volts, IDQ=1800mA,Pout=50WattsAvg.,InputSign	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

产品属性

产品编号：
100B1R5BT500XT1K
制造商：
American Technical Ceramics
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
Porcelain Superchip® ATC 100B
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
容差：
±0.1pF
电压 - 额定：
500V
温度系数：
P90
工作温度：
-55°C ~ 125°C
特性：
高 Q 值，低损耗，Low ESL
应用：
射频，微波，高频，旁通，去耦
安装类型：
表面贴装，MLCC
封装/外壳：
1111（2828 公制）
大小 / 尺寸：
0.110" 长 x 0.110" 宽（2.79mm x 2.79mm）
厚度（最大值）：
0.102"（2.59mm）
描述：
CAP CER 1.5PF 500V P90 1111

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