| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纽联电子有限公司1年
留言
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ONVW |
20000 |
全新原装现货 样品可售 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美SMD-贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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更多1PMT5925BT1G功能描述:DIODE ZENER 10V 3.2W POWERMITE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向(Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带(CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585(CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
产品属性
- 产品编号：
1PMT5925BT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 容差：
±5%
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
DO-216AA
- 供应商器件封装：
Powermite
- 描述：
DIODE ZENER 10V 3.2W POWERMITE
