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082N10N	文件：485.69 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •VDS=100V •ID(atVGS=10V)=80A •RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
BSC082N10LSG	文件：441.9 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
TF082N10NG	文件：1.73977 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF082N10NGusesadvancedtrenchtechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitchi	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG

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082N10N

文件：485.69 Kbytes

Page：8 Pages

100VN-ChannelMOSFET

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •VDS=100V •ID(atVGS=10V)=80A •RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWUMW

友台友台半导体

UMW

BSC082N10LSG

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Page：10 Pages

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

TF082N10NG

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Page：6 Pages

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

●GeneralDescription TheTF082N10NGusesadvancedtrenchtechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitchi

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

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深圳市创盛芯科技有限公司	082N10NMOS(场效应管)	17	22+	TO-252	3750	原装现货假一赔十	询价
标准国际(香港)有限公司	082SS431M	NUM	N/A		9		询价
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上海金庆电子技术有限公司	08-30-0109	MOLEX	新		1905	全新原装货期两周	询价
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更多082N10NMOS(场效应管)供应商更新时间2024-5-15 19:16:00

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