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06035J5R6CBSTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：电容器薄膜电容器描述：ACCU-F/P	KyOCERA KYOCERA AVX	KyOCERA
06035J5R6BBS	文件：678.66 Kbytes Page：15 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA20312Bisa2-stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorrep	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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06035J5R6BS	文件：478.77 Kbytes Page：24 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) 400--2400MHz,17.5dB33dBmInGaPHBTGPA TheMMG3006NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom400to2400M	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
06035J5R6BS	文件：456.37 Kbytes Page：20 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3005NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforappli	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
06035J5R6BS	文件：181.51 Kbytes Page：9 Pages	GalliumArsenideCATVIntegratedAmplifierModule Description •24VdcSupplyor12VdcSupplywithBiasChange,40to870MHz,CATVIntegratedForwardAmplifierModule Features •Specifiedfor79-,112-and132-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •Built-inInputDiodeProtection •GaAsFETTransistorTechnology •Unconditi	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

产品属性

产品编号：
06035J5R6CBSTR
制造商：
KYOCERA AVX
类别：
电容器 > 薄膜电容器
包装：
卷带（TR）
描述：
ACCU-F/P

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