选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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PHILIPS/飞利浦NA/ |
44391 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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PHTO-92 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCHILDTO-92 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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SIEMENSTO92 |
9965 |
96+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO92 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-92 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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HGFTO-92 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-92 |
9852 |
1937+ |
只做进口原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-92 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SIEMENS |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDSEMTO-92-3 |
3577 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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TO-92 |
50000 |
09+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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HGF/恒光发TO-92 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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onsemiNA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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PHILIPSTO-92 |
6200 |
17+ |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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OOO |
15228 |
1535+ |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-92 |
50000 |
22+ |
只做正品原装,假一罚十,欢迎咨询 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILDTO-92 |
16500 |
21+ |
进口原装正品现货 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
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PHILIPSTO92 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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FSCTO-92 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
BC637采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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BC637RL1G价格
BC637RL1G价格:¥0.3347品牌:ON
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更多BC637功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC637 WAF制造商:ON Semiconductor
BC637_01制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE
BC637_11制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Current Transistors
BC637_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC637_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC637_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC637_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC637_L34Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC637_Q功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
BC637
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 150mA,2V
- 频率 - 跃迁:
200MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 长体
- 供应商器件封装:
TO-92(TO-226)
- 描述:
TRANS NPN 60V 1A TO92